最終更新日:
2023-04-05 09:45:27.0
スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減
『高電圧半導体スイッチ』は、高電圧で
高速なパルスを発生させる、電源装置です。
FETを90段直列に接続し、最大90kVのスイッチングを実現しました。
運転周波数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。
また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、
90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。
スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や
冷却システムの製作など、設計・開発から製品化まで行っています。
【アプリケーション】
■核融合装置のジャイロトロン用パルス電源
■EUVレーザーのパルス電源
■医療用X線制御
■加速器のクライストロン用パルス電源
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【仕様(一部)】
■最大電圧:90kV
■ピーク電流:10Ap
■運転周波数:DC~5kHz max
■寸法:H1195×W800×D1195 mm
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価格帯 | お問い合わせください |
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用途/実績例 | 核融合装置、加速器、成膜装置 |
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