テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能
プリンテッド・エレクトロニクス関連で、絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長 375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径 2μm（@405nm）10μm 22μm 30μm 等。分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi 等
感光性レジストの全般（半導体露光用レジスト各種、ポリイミドレジスト、感光性Ａｇ）に対応可能。
有機ＴＦＴのゲート絶縁膜、感光性Ａｇインク 等で電極形成。
インクジェット／フレキソ／スクリーン 等の工法で困難なパターン形状の作成が、容易に可能です
テレセントリックｆθレンズによるレーザ露光のため、走査幅全域においてビーム形状が同じで高精度な描画が可能。 直描装置本体部をコンパクトなサイズに納めましたので、省スペースで多品種小ロットの高精細露光に最適です。
［基本仕様］下記以外の走査幅（テレセンｆθレンズ）にも特注で対応可能型 式 LSU-1002LSU-6010 LSU-12522 LSU-25030
レーザ波長 375，405，650，780，830nm；355，488，532nm
レーザスポット径（@レーザ波長405nm） 2μm 10μm 22μm 30μmレーザ走査幅 10mm 60mm 125mm 250mm
データ分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi ～1,500dpiデータフォーマット ビットマップ（BMP）
フォーカスユニット（マニュアル操作） Zステージ
［選択オプション］
フォーカス確認ユニット、繰り返し露光機能、基準穴位置調整機能、エアーチャックテーブル
［基本仕様］下記以外の走査幅（テレセンｆθレンズ）にも特注で対応可能型 式 LSU-1002LSU-6010 LSU-12522 LSU-25030
レーザ波長 375，405，650，780，830nm；355，488，532nm
レーザスポット径（@レーザ波長405nm） 2μm 10μm 22μm 30μmレーザ走査幅 10mm 60mm 125mm 250mm
データ分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi ～1,500dpiデータフォーマット ビットマップ（BMP）
フォーカスユニット（マニュアル操作） Zステージ
［選択オプション］
フォーカス確認ユニット、繰り返し露光機能、基準穴位置調整機能、エアーチャックテーブル
| 価格情報 | お気軽に問い合わせください |
|---|---|
| 価格帯 | 1000万円 ~ 5000万円 |
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | テレセントリックｆθレーザ露光装置 |
| 用途／実績例 |
プリンテッド・エレクトロニクス関連のパターン形成をマスクレスで実現する装置です。絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。ｈ線、ｉ線 波長なども対応可能です。 テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長 375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径 2μm（@405nm）10μm 22μm 30μm 等。分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi 等 |
関連ダウンロード
テレセントリックｆθレンズ仕様 レーザ露光装置
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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株式会社ワイ・ドライブ
