株式会社ワイ・ドライブ

テレセントリックfθレンズ仕様 レーザ露光装置

最終更新日: 2018/02/22

  • カタログ

テレセントリックfθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能

プリンテッド・エレクトロニクス関連で、絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、MEMS形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。テレセントリックfθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長  375,405,650,780,830nmなど選択可能。レーザスポット径  2μm(@405nm)10μm 22μm 30μm 等。分解能 ~25,400dpi ~5,080dpi ~3,000dpi 等

感光性レジストの全般(半導体露光用レジスト各種、ポリイミドレジスト、感光性Ag)に対応可能。

有機TFTのゲート絶縁膜、感光性Agインク 等で電極形成。
インクジェット/フレキソ/スクリーン 等の工法で困難なパターン形状の作成が、容易に可能です

テレセントリックfθレンズによるレーザ露光のため、走査幅全域においてビーム形状が同じで高精度な描画が可能。 直描装置本体部をコンパクトなサイズに納めましたので、省スペースで多品種小ロットの高精細露光に最適です。
[基本仕様]下記以外の走査幅(テレセンfθレンズ)にも特注で対応可能型   式  LSU-1002LSU-6010 LSU-12522 LSU-25030
レーザ波長  375,405,650,780,830nm;355,488,532nm
レーザスポット径(@レーザ波長405nm) 2μm 10μm 22μm 30μmレーザ走査幅 10mm 60mm  125mm  250mm
データ分解能 ~25,400dpi ~5,080dpi ~3,000dpi ~1,500dpiデータフォーマット   ビットマップ(BMP)
フォーカスユニット(マニュアル操作) Zステージ
[選択オプション]
フォーカス確認ユニット、繰り返し露光機能、基準穴位置調整機能、エアーチャックテーブル
価格情報 お気軽に問い合わせください
価格帯 1000万円 ~ 5000万円
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 テレセントリックfθレーザ露光装置
用途/実績例 プリンテッド・エレクトロニクス関連のパターン形成をマスクレスで実現する装置です。絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、MEMS形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。h線、i線 波長なども対応可能です。

テレセントリックfθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長  375,405,650,780,830nmなど選択可能。レーザスポット径  2μm(@405nm)10μm 22μm 30μm 等。分解能 ~25,400dpi ~5,080dpi ~3,000dpi 等

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