「エピウェーハ」
1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。
*直径: 100-200 mm
*Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
*Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
*Epi厚: 1-150 um
*Stacking fault: 10 /cm2 以下
*Thickness Uniformity: 1%
*Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
*Min25枚より
「エピ受託加工」
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。
特 徴
・実験用に小ロット(数枚~25枚)から可能
・サブウェーハご指定も可能(お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です)
・エピ厚さ公差:6-10%以内 (エピ厚さにより変わります)
・抵抗均一性公差:5-15%以内 (抵抗により変わります)
基本情報
【特徴】
○実験用に小ロット(25枚)から可能
○サブウェーハご指定も可能
○エピ厚さ公差:6-10%以内(エピ厚さにより変わります)
○抵抗均一性公差:5-15%以内(抵抗により変わります)
【エピ受託加工】
○直径:76、100、125、150mm
○ドーパント:Boron, Phosphine, Arsenic
○エピ抵抗率:0.1-800 ohm cm
○エピ厚さ:3-150μ
「多層EPIウェーハ加工」
*材料支給も対応可能です。
*数枚から加工可能です。
*基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。
*膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。
「SiGe Epiウェーハ」
*濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。
*直径はMAX8インチまで対応可能です。
*Ge濃度:20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい
*基板にSiやSOIも使用可能です。
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株式会社エナテック 東京本社