最終更新日:
2020-07-22 15:52:52.0
半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。
現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
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基本情報
【特徴】
○NTDシリコン（中性子照射シリコン）
○抵抗率の均一性に優れている
○電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用されている
○半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用可能
【仕様】
○直径：50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
○結晶方位：＜100＞or＜111＞
○伝導型（ドーパント）：N(Phosphorus)
○抵抗率：30-500,600 オーム 程度
○抵抗率公差：+/-10％ 程度
○面内抵抗率分布：< 3－8% 程度
○キャリアライフタイム：> 200µsec
○酸素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3
○炭素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3
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| 用途／実績例 | 【アプリケーション】 ○High Power Electronics ○Automotive Consumer ○IGBT Inverters>1kW ○Smart Power ○Low Power Thyristors ●詳しくはお問い合わせください。 |
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