最終更新日:
2020-08-04 14:15:38.0
汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコンのご提供が可能です。
ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。
弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。
現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
詳しくはお問い合わせください。
★Prime Grade FZ ingot（即納可能）
納品時にはメーカーのCofCをおつけします。
仕様
方位: (1-1-1) ± 2 deg.
直径(mm) : 101,60 ± 0,20
長さ(mm) : 200 - 400
第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg.
第二オリフラ(mm) : N.A.
タイプ: N-type/Phosphorous
ライフタイム(microsec) : 1000
抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00
抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00
RRV [%] : N.A.
基本情報
【主な仕様】
ガスでドーパントされたFZシリコンになります。
○直径：50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm , 200mm
〇抵抗は数ohmから数千程度まで対応可能です
○結晶方位：＜100＞or＜111＞(直径による）
○伝導型（ドーパント）：P(Boron) or N(Phosphorus)
○抵抗率公差：抵抗率により異なります
○面内抵抗率分布：抵抗率により異なります
○キャリアライフタイム：抵抗率により異なります
○酸素・炭素濃度 ：＜2.0 × 10(16)atoms/cm3 程度
25枚もしくは在庫状況により小ロットから対応可能です。
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| 価格情報 | お問い合わせ下さい。 |
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| 納期 |
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| 用途／実績例 | 【アプリケーション】 ○Power discrete, diode ○Automotive power devices ○MEMS 〇太陽電池 ●詳しくはお問い合わせください。 |
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