最終更新日:
2020-08-06 14:06:50.0
小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応いたします。
「エピウェーハ」
1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。
＊直径: 100-200 mm
＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
＊Epi厚: 1-150 um
＊Stacking fault: 10 /cm2 以下
＊Thickness Uniformity: 1%
＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
＊Min25枚より
「エピ受託加工」
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。
特 徴
・実験用に小ロット（数枚～25枚）から可能
・サブウェーハご指定も可能（お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です）
・エピ厚さ公差：6-10%以内 (エピ厚さにより変わります）
・抵抗均一性公差：5-15%以内 (抵抗により変わります）
基本情報
【特徴】
○実験用に小ロット（25枚）から可能
○サブウェーハご指定も可能
○エピ厚さ公差：6-10%以内(エピ厚さにより変わります）
○抵抗均一性公差：5-15%以内(抵抗により変わります）
【エピ受託加工】
○直径：76、100、125、150mm
○ドーパント：Boron, Phosphine, Arsenic
○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm
○エピ厚さ：3-150μ
「多層EPIウェーハ加工」
＊材料支給も対応可能です。
＊数枚から加工可能です。
＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。
＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。
「SiGe Epiウェーハ」
＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。
＊直径はMAX8インチまで対応可能です。
＊Ge濃度：20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい
＊基板にSiやSOIも使用可能です。
●詳しくはお問い合わせ下さい。
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