直径は30mm程度~8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。
センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT・ダイオード等に利用されています。
*Prime Grade FZ ingot(即納可能)
納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。
ウェーハへの加工も可能です。
仕様)
仕上げ: as ground
方位: (1-1-1) ± 2 deg.
直径(mm) : 101,60 ± 0,20
Ingot length (mm) : 200 - 400
第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg.
第二OF(mm) : N.A.
タイプ:N-type
Lifetime(microsec) : 1000
抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00
RRV [%] : N.A.
*在庫は複数本ございます。
基本情報
【特徴】
○直径30mm程度~8インチ対応可能
○10オーム程度から1万Ωを超えるような超高抵抗まで様々に対応可能
○高ライフタイム・低酸素・低炭素
〇赤外線用ウインドウ, フィルター, レンズなども対応可能
〇抵抗帯により太陽電池用途などにも用いられます。
[センサー用高抵抗FZウェーハ]
○パーティクル検査機・IR検査機等に利用可能
〇数千から1万ohmを超えるような高抵抗も可能です。
〇FZ法で製造され不純物が少ない高いライフタイムが特徴です。
[ハイパワーデバイス用FZウェーハ]
○サイリスター・IGBT(>1200V)等に利用可能
○抵抗のバラつきが少ない
〇中性子照射を行っており抵抗のばらつきが非常に少なく抑えれれています。
[中耐圧用FZウェーハ]
○IGBT(>600V)・ダイオード等に利用可能
〇ガスドープで製造されています
[高耐圧用FZウェーハ]
〇高耐圧のIGBTなどに使用される中性子されたシリコンウェーハになります。
〇抵抗のばらつきが少ないことが特徴です。
●詳しくはお問い合わせ下さい。
価格情報 | 様々な仕様に対応可能ですので、お問い合わせ下さい。 |
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納期 |
お問い合わせください
※ 製品により短納期が可能です。 |
用途/実績例 | パワーデバイス、センサー、ディテクター等 ●詳しくはお問い合わせ下さい。 |
関連カタログ
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