一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

最終更新日: 2023-04-04 10:12:02.0
活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。
SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素(N,Al,P)の深さ濃度分布を評価しました。
測定法:SIMS・SCM・TEM
製品分野:パワーデバイス
分析目的:微量濃度評価・形状評価・製品調査

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