一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析

最終更新日: 2016-08-25 14:45:12.0
目的に応じた分析条件で測定します

GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。
SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が可能になりますのでお気軽にご相談ください。

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用途/実績例 照明・パワーデバイス・光デバイスの分析です

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