内層銅と上層めっき層の界面で結晶連続性を確保、最先端のパッケージで要求される高度な信頼接続性を実現
OPC FLETカッパーは、セミアディティブプロセスに適応する、ノーシアン・ロッシェル塩タイプの無電解銅めっき液です。素材表面およびビアホール内への低膜厚で均一な析出性に優れ、フラッシュエッチング時の回路幅細りを低減、さらに、銅上への析出性を抑制し、内層銅と上層めっき銅間で結晶の連続性を実現する、ICサブストレートのファインパターンおよびマイクロビアホール形成用に最適なめっき液です。
【特長】
・上層めっき銅と内層銅間の接続信頼性に優れる
・素材表面/ビアホール壁面へ、低膜厚で均一、安定した析出性が得られる
・低粗度の素材に対して、ブリスター発生を抑制し、優れたピール強度が得られる
・皮膜は高純度で低い抵抗値を示し、低膜厚でも後工程のパターンめっきを阻害しない
電子機器などの高性能、小型化、軽量化にともない、半導体パッケージ基板はさらに高密度化しています。
そのため、半導体パッケージに用いられるプリント配線板では、回路の微細化、ビアホールの小径化、内層銅の極薄化が進んでいます。
ビアホールには、底面から見て内層銅、無電解銅めっき、電気銅めっきという3種類の銅があります。従来の方法では、微細化が進むと、内層銅と無電解銅めっきの界面ではく離が生じ、接続信頼性が低下するという問題がありました。
「OPC FLETプロセス」は、優れたつきまわり性と電気伝導性を示す銅シード層を低膜厚で形成できます。さらに、低粗度材料に対しても優れた密着性を示します。さらに、無電解銅めっき皮膜の低膜厚化によって、無電解銅めっきをエッチングする際に生じる回路細りを大幅に改善し、L/S=5/5μm以下の超微細配線を形成できます。
その他、半導体パッケージ基板・半導体パッケージング基板向けめっき薬品とめっきプロセス、低粗度絶縁材料などの新素材に対応する技術開発にも力を入れております。プリント基板・電子部品の表面処理に関するお困りごとは、お気軽にご相談ください。
そのため、半導体パッケージに用いられるプリント配線板では、回路の微細化、ビアホールの小径化、内層銅の極薄化が進んでいます。
ビアホールには、底面から見て内層銅、無電解銅めっき、電気銅めっきという3種類の銅があります。従来の方法では、微細化が進むと、内層銅と無電解銅めっきの界面ではく離が生じ、接続信頼性が低下するという問題がありました。
「OPC FLETプロセス」は、優れたつきまわり性と電気伝導性を示す銅シード層を低膜厚で形成できます。さらに、低粗度材料に対しても優れた密着性を示します。さらに、無電解銅めっき皮膜の低膜厚化によって、無電解銅めっきをエッチングする際に生じる回路細りを大幅に改善し、L/S=5/5μm以下の超微細配線を形成できます。
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