最終更新日:
2023-03-03 09:51:36.0
シンプル構造で低価格を実現！GaNウェハ低ダメージエッチング装置をご紹介
当社が取り扱う『PECプロセス装置』をご紹介します。
光源・波長はUVA、UVCから選択でき、エッチング溶液加熱により
高速な深堀エッチングが可能。
タッチパネル入力でエッチングリンスをパラメータ設定できます。
ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。
【特長】
■10mm□小片チップからφ6インチウェハ
■GaN 低ダメージエッチングが可能
■シンプル構造で低価格を実現
■高速な深堀エッチング可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様】
■型式：PEC-6
■エッチング方式
・Photo-Electro Chemical：光電気化学
■適応ワーク：□10ｍｍ小片チップ、φ2～6インチ
■UVA光源：超高圧水銀灯315～400nm 15mW/sm2以上
■UVC光源：プラズマ光源220～320nm 12mW/sm2以上
■薬液供給：2ノズルエア圧縮方式エッチング液、リンス液
■外形寸法：1470（H）×650（W）×750（D）
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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