超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント
半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】
対応基板サイズ：Φ2〜6inch
真空（UHV対応可能）・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。（詳細別途協議）
◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応
◉ ステージ上下昇降（基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式）
◉ 基板回転
◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ）
◉ 使用環境に応じたエレメントの選択：
グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター
◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ
◉ K, C, R熱電対付属
◉ その他オプション：温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー
◉ ステージ上下昇降（基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式）
◉ 基板回転
◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ）
◉ 使用環境に応じたエレメントの選択：
グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター
◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ
◉ K, C, R熱電対付属
◉ その他オプション：温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー
| 価格情報 |
詳細は当社までお問い合わせ下さい。 仕様により価格変動します、当社までお気軽にお問い合わせ下さい。 |
|---|---|
| 納期 |
お問い合わせください
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| 用途／実績例 |
【用途】 CVD/PVD（真空蒸着/スパッタリング装置）、各種高温アニール用途、など 【実例】 ・TCVD. PECVD. スパッタ等の成膜装置 ・既存薄膜装置加熱ステージの高温化, 上下/回転/バイアス機構の増設改造 ・新規プロセス評価機、試作機への搭載 |
詳細情報
4inch hot stage max1200C with bias
4inch hot stage max1200℃ RF bias事例
4inch hot stage with water cooling
4inch hot stage水冷ハウジング付き設置事例
Max1200℃グラファイトエレメント インコネルウエハーホルダー
大気側Z軸駆動モーター
大気側Z軸駆動モーター（50mmストローク例）
RFバイアス
2inch hot stage NiCr element max1000C with bias
2inch hot stage NiCr element max1000C with bias
Inconel wafer holder
関連ダウンロード
【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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テルモセラ・ジャパン株式会社
