Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。
・ハロゲンランプヒーター:Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ)
・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属
価格情報 | 当社までお問い合わせ下さい。 |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | ANNEAL |
用途/実績例 |
・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発 ・コーティング材料、薄膜材料の開発 ・光学薄膜、装飾膜等の産業用途 |
詳細情報
ANNEAL front photo
装置外形寸法:750(W) x 500(D) x 400(H)mm
重量:約40kg(*装置構成による)
![1.jpg](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/daa/453843/IPROS07583983856143736519.jpeg?w=140&h=140)
Halogen lamp heating stage
表面熱電対設置
![2.jpg](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/8ad/453844/IPROS73117773939046181475.jpeg?w=140&h=140)
Halogen lamp heating stage. plate removed
ハロゲンランプ加熱ステージ内部
![3.jpg](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/311/453845/IPROS92741342723936614838.jpeg?w=140&h=140)
C/Cコンポジットヒーター加熱ステージ
・CCCヒーターステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス)
・SiCコーティングステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
![4.jpg](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/f8f/453846/IPROS51711777876203847842.jpeg?w=140&h=140)
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メインメニュー画面
![Main-menu.png](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/0d6/453847/IPROS60912454476183687070.png?w=140&h=140)
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グラフ表示
![Graph.png](https://images.ipros.jp/public/product/image_diagram/1fe/453848/IPROS60159811545201756264.png?w=140&h=140)
関連ダウンロード
アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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