Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。
・ハロゲンランプヒーター：Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション）
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社）
◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能）
◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属
| 価格情報 | 当社までお問い合わせ下さい。 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | ANNEAL |
| 用途／実績例 |
・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発 ・コーティング材料、薄膜材料の開発 ・光学薄膜、装飾膜等の産業用途 |
詳細情報
ANNEAL front photo
装置外形寸法：750(W) x 500(D) x 400(H)mm
重量：約40kg（*装置構成による）
Halogen lamp heating stage
表面熱電対設置
Halogen lamp heating stage. plate removed
ハロゲンランプ加熱ステージ内部
C/Cコンポジットヒーター加熱ステージ
・CCCヒーターステージ：Max1000℃（真空、不活性ガス）
・SiCコーティングステージ：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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