テルモセラ・ジャパン株式会社

スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』

最終更新日: 2024-10-12 15:48:46.0

  • カタログ

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置
● 到達圧力5 x 10-5Pa(*1x10-4Paまで最速30分!)
● スパッタ源 x 3:連続多層膜膜制御, 同時成膜
● 膜均一性±3%
● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他

◉ nanoPVDは、最大スパッタ源3源+3系統(MFC制御)、RF/DC PSUの増設(最大2電源まで)連続多層膜・2源同時成膜(RF/DC、又はDC/DCのみ)、など多目的にお使い頂くことができます。
・絶縁膜
・導電性膜
・化合物、他

【主な特徴】
◉ 対応基板:2"(1〜3源)、もしくは4"(1源)
◉ 2"カソード x 最大3源
◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
◉ MFC搭載高精度プロセス制御
◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設
◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング。
◉ 他、多彩なオプションを用意

関連動画

◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。
◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御(真空引/ベント、成膜時間、出力/時間、MFC流量圧力自動制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など)を全自動運転(手動も可能)〜Windows PCでデータロギングができます。

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx3源(標準1源)
・RF電源:150W 自動マッチング
・DC電源:850W
・対応基板サイズ2inch、4inch
・基板回転・上下昇降・加熱(500℃)オプション
・プロセスガス制御:MFC x 1(Ar標準、最大3系統増設:N2, O2)
・APC自動制御(キャパシタンスマノメータ オプション)
・水晶振動子膜厚モニタ
・シャッター
・寸法:804(W) x 570(D) x 600(H)mm
・重量:約70kg
・電源:200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ:Φ225(内径)x 250mm
・真空系:TMP + RP(ドライポンプ オプション)
・ペルチェ冷却機構
価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
※ 仕様により納期変動します、当社までお問い合わせ下さい。
型番・ブランド名 S10A
用途/実績例 各種電子デバイス薄膜実験
金属薄膜、絶縁膜、化合物薄膜、他多数アプリケーションに対応
ラインアップ
型番 概要
nanoPVD-S10A
nanoPVD-S10A-WA Φ6inch、Φ8inch基板対応ステージ搭載

詳細情報

nanoPVD system front
チャンバー: Φ259(H) x Φ225(i.d)mm
フロントビューポート
7inchタッチスクリーン

nanoPVD-system-front.jpg

nanoPVD system back
ターボ分子ポンプ + ロータリーポンプ
Windows PC USB接続 専用ソフトウエアにてデータロギング

nanoPVD-system-rear.jpg

nanoPVD front view port
フロントビューポート

Front-View-Port.jpg

2inch Magnetron Cathode
2inchマグネトロンカソード(DC/RF/PulseDC兼用) x 最大3源

2inch-Magnetron-Cathode.jpg

関連ダウンロード

スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

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