株式会社アイテス

パワーデバイスの故障解析

最終更新日: 2023-01-12 17:18:03.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

さまざまなサイズ・形状のパワーデバイスに対し適した前処理を行い裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定します
■解析の前処理 -裏面研磨-
・各種サンプル形態に対応します。
 Siチップサイズ:200μm~15mm角
■不良箇所特定 -裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-
・IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100μA/25Vまで対応
 感度:数十pA
 低倍最大視野:6.5mm角(それ以上の視野サイズは要打合せ)
・エミッション解析:~2kVまで対応
 感度:数nA
 低倍最大視野:6.5mm角(それ以上の視野サイズは要打合せ)
■リーク箇所のピンポイント断面観察 -SEM・TEM-
・予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することができます。
 特定位置精度:±0.3μm、試料厚:1.5μm~0.1μm

関連情報

パワーデバイスのトータルソリューションサービス
パワーデバイスのトータルソリューションサービス 製品画像
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
 定電流600A max.(Vce=10V)
 同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
 温度範囲 -65℃~150℃、-40℃~180℃
 液媒体 Galden D02TS/D03
 試料かご(最大) W320xH240xD320(mm)
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
 最大電圧 3000V、最大電流 20A
 小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
 高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
 パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
 高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
 チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
品質技術トータルソリューション
品質技術トータルソリューション 製品画像
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。
パワーデバイスの故障解析
パワーデバイスの故障解析 製品画像
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
 Siチップサイズ:200um~15mm

・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
         感度:数十pA
         低倍最大視野:6.5mm角

・エミッション解析: ~2kV まで対応
          感度:数nA
          低倍最大視野:6.5mm角

・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um

・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
       構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)

・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
 
TEMによる電子部品・材料の解析
TEMによる電子部品・材料の解析 製品画像
■エミッション発光にて特定した故障部位は
 FIBにより薄片化しながら観察します。

■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
 故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
 最適な像を得ることができます。

■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
 2%以下の誤差で測長することもできます。
クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

1)FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
2)2つの二次電子検出器(In-Lens/チャンバーSE)により試料から様々な情報が得られます。
3)加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
4)拡散層:PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
【資料】液晶材料とその分析技術
【資料】液晶材料とその分析技術 製品画像
【その他の掲載内容】
■LCP分子構造解説(一例)
■アイテス保有のGC-MS装置
■低分子液晶
■低分子液晶構造解説(一例)
■GC-MS分析による低分子液晶(for LCD)のTICデータ、および検出物質
■液晶構造機能解説

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体の解析サービス
パワー半導体の解析サービス 製品画像
【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】
■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定
■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
■TEM観察による結晶構造観察、元素分析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
発熱解析による電子部品の故障箇所特定
発熱解析による電子部品の故障箇所特定 製品画像
【装置仕様】
■観察視野サイズ:9.5x7.5mm~1.2x0.96mm
■検出波長領域:3.7um~5.1um
■最大印加電圧、電流:1.5kv/120mA 3kV/20mA
■ロックイン周波数:0.1Hz~83Hz

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超音波顕微鏡『SAM』
超音波顕微鏡『SAM』 製品画像
【その他の仕様】
■最大測定範囲:314mm×314mm 最小ピッチ:0.5μm
■画像取得数(1スキャン):100枚(ゲート)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ
FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ 製品画像
【FIB-SEM複合装置概要】
■垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載
■FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能
■加工位置精度の向上
■大気非暴露で観察、分析可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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