半導体など各種材料に！数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可能です
フラッシュランプアニーリング装置 FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニーリングをすることが可能です。非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用できる研究開発用の小型装置です。コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適です。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
【特徴】
○DTF-FLAウルトラショートタイムアニーリング用デザインのスタンドアローン装置
○半導体材料、その他材料に対して数ミリ秒～数百ミリ秒の超短時間アニーリングが可能
○コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適
○非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、
超高速昇温レートで表面のみ加熱
○フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用
○CIS、CIGS等のソーラーセル（フレキシブル、ガラス基板等）の
ヘテロエピレーヤーの膜質向上
○ITO等の透明導電性酸化膜の改質（フレキシブル、ガラス基板等）
○a-Si、Poly Siの結晶性の向上
○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理
○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成
○ローカルメルティング-再結晶化／FLASiC(SiC on Si)
○ドーパントの活性化（SiC/GaAs） ウルトラシャロージャンクション（Si）
●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
○DTF-FLAウルトラショートタイムアニーリング用デザインのスタンドアローン装置
○半導体材料、その他材料に対して数ミリ秒～数百ミリ秒の超短時間アニーリングが可能
○コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適
○非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、
超高速昇温レートで表面のみ加熱
○フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用
○CIS、CIGS等のソーラーセル（フレキシブル、ガラス基板等）の
ヘテロエピレーヤーの膜質向上
○ITO等の透明導電性酸化膜の改質（フレキシブル、ガラス基板等）
○a-Si、Poly Siの結晶性の向上
○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理
○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成
○ローカルメルティング-再結晶化／FLASiC(SiC on Si)
○ドーパントの活性化（SiC/GaAs） ウルトラシャロージャンクション（Si）
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【用途】 ○ランプアニーリング ○アニール ○アニーリング装置 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。 |
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