エッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。
検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。
プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。
- イオンエネルギー分布
- イオンフラックス
- イオンカレント
- エレクトロンフラックスとエネルギー
・検出プローブは電極/基板ホルダーに取付けできます。
・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。
・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。
・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。
・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数)
- フローティング
- DC
- パルスDC
- RF
・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。
・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。
・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。
・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数)
- フローティング
- DC
- パルスDC
- RF
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 |
・プラズマプロセスの開発 ・プラズマプロセスの診断 ・エッチング、CVDの開発ツール ・マグネトロンスパッタリングやHiPIMSの薄膜成膜プロセスの開発 |
お問い合わせ
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株式会社マツボー
