一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価

最終更新日: 2016-02-05 13:36:57.0
試料冷却による高精度なBのプロファイル分析

デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。
MSTでは試料冷却がこの歪み補正に有効であることを確認し、より高精度な濃度分布の評価が可能になりました。

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用途/実績例 メモリ・LSI・電子部品の分析です

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