一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

最終更新日: 2016-02-09 13:59:15.0
前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。
本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。

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