最終更新日:
2024-05-28 13:47:29.0
真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)による局所抵抗分布評価
CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。
関連カタログ
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 【測定法】質量分析法
- 【測定法】光電子分光法
- 【測定法】電子顕微鏡観察・分析
- 【測定法】振動分光
- 【測定法】X線回折関連
- 【測定法】SPM関連
- 【測定法】故障解析
- 【測定法】そのほかの測定法
- 【加工法・処理法】
- その他のサービス・サポート情報
- 【分析事例】LSI・メモリ
- 【分析事例】光デバイス
- 【分析事例】太陽電池
- 【分析事例】燃料電池
- 【分析事例】ディスプレイ
- 【分析事例】酸化物半導体
- 【分析事例】パワーデバイス
- 【分析事例】電子部品
- 【分析事例】二次電池
- 【分析事例】照明
- 【分析事例】製造装置・部品
- 【分析事例】バイオテクノロジ
- 【分析事例】化粧品
- 【分析事例】食品
- 【分析事例】医薬品
- 【分析事例】医療機器
- 【分析事例】日用品
- 【分析事例】環境
- 【分析事例】その他
- MSTが出展した展示会の資料
- すべての製品・サービス