一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

最終更新日: 2016-08-25 14:23:16.0
SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析(SSDP-SIMS)を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極(BドープPoly-Si)から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹凸のあるシリサイド直下の評価にSSDP-SIMSが有効です。

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報 -
納期 お問い合わせください
用途/実績例 LSI・メモリの分析です

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

製品・サービス一覧(663件)を見る