一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析

最終更新日: 2016-08-25 14:27:25.0
高い再現精度で評価可能

デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価が必要とされています。正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、極浅い不純物分布評価においても通常のSIMS分析と同様に高い再現精度が得られることが示されました。

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用途/実績例 LSI・メモリ・酸化物半導体・パワーデバイス・光デバイス・電子部品の分析です

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