最終更新日:
2023-04-20 10:55:22.0
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。
・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。
・コンタクトの抵抗異常を特定可能。
・配線ショート箇所を特定可能。
・DC電流経路を可視化。
・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。
基本情報
1.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。
2.レーザの走査に同期して電流値(または電圧値)を読み取る。
3.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値(または電圧値)として検出される。
価格情報 | - |
---|---|
納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ・Siデバイス(トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ) ・SiCパワーデバイス(ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど) ・GaN発光素子・GaNデバイス(LD・LED・HEMTなど) ・MEMS(圧力センサ・加速度センサ) |
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