一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

最終更新日: 2023-04-04 09:49:50.0
結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。
デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。
測定法:XRD・AFM・PL・SIMS
製品分野:パワーデバイス・照明
分析目的:微量濃度評価・構造評価・形状評価・故障解析・不良解析

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用途/実績例 パワーデバイス・照明の分析です

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