一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

最終更新日: 2016-03-10 11:47:10.0
目的に応じた分析条件で測定します

市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。
分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。

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用途/実績例 パワーデバイスの分析です

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