一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

最終更新日: 2016-03-11 13:33:26.0
UPS:紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。
表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。
■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定
価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。
■イオン化ポテンシャルの算出
イオン化ポテンシャル(I.P.)= hν-W
hν:照射紫外線のエネルギー(He I線21.22eV)
W:スペクトルのエネルギー幅(Ek(min) - VBM)

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