一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

最終更新日: 2017-11-16 16:36:00.0
PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL(フォトルミネッセンス)マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。
更に同一箇所を高分解能STEM観察(HAADF-STEM像)を行うことで積層欠陥を捉えることができます。
本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。
PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。

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