最終更新日:
2019-02-18 15:35:12.0
温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。
Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。
単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。
関連カタログ
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 【測定法】質量分析法
- 【測定法】光電子分光法
- 【測定法】電子顕微鏡観察・分析
- 【測定法】振動分光
- 【測定法】X線回折関連
- 【測定法】SPM関連
- 【測定法】故障解析
- 【測定法】そのほかの測定法
- 【加工法・処理法】
- その他のサービス・サポート情報
- 【分析事例】LSI・メモリ
- 【分析事例】光デバイス
- 【分析事例】太陽電池
- 【分析事例】燃料電池
- 【分析事例】ディスプレイ
- 【分析事例】酸化物半導体
- 【分析事例】パワーデバイス
- 【分析事例】電子部品
- 【分析事例】二次電池
- 【分析事例】照明
- 【分析事例】製造装置・部品
- 【分析事例】バイオテクノロジ
- 【分析事例】化粧品
- 【分析事例】食品
- 【分析事例】医薬品
- 【分析事例】医療機器
- 【分析事例】日用品
- 【分析事例】環境
- 【分析事例】その他
- MSTが出展した展示会の資料
- すべての製品・サービス