一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

最終更新日: 2022-11-18 17:30:03.0
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。
X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

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用途/実績例 測定法:X線CT法
製品分野:パワーデバイス
分析目的:形状評価・製品調査・劣化調査・信頼性評価・構造評価

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