最終更新日:
2024-07-18 11:25:17.0
TOF-SIMS、D-SIMS:二次イオン質量分析法
半導体製造工程において、不純物混入は特性や製造歩留まりの低下につながるため、早急な不純物元素の特定および量の把握が重要です。
MSTではTOF-SIMS(Static-SIMS)で不純物元素を定性し、検出された元素をD-SIMS(Dynamic-SIMS)で深さ方向へ定量するという、デバイス中の不純物評価が可能です。
本件では、無アルカリガラス中の金属不純物を測定した事例を紹介します。
基本情報
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用途/実績例 | 酸化物半導体、LSI・メモリ、電子部品、製造装置・部品に用いられる分析手法です。 |
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