［SIMS］二次イオン質量分析法

最終更新日: 2016-02-18 13:54:19.0

二次イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です

イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。

・高感度（ppb～ppm）
・HからUまでの全元素の分析が可能
・検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで）
・標準試料を用いて定量分析が可能
・深さ方向分析が可能
・数～数十nmの深さ方向分解能での評価が可能
・数μm角までの微小領域の測定が可能
・同位体分析が可能
・破壊分析

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

基本情報

酸素やセシウムなどのイオン(一次イオン)を試料表面に照射すると試料表面近傍の原子は攪拌され、一部が真空中に飛び出してきます（スパッタリング）。
飛び出してきた粒子のうちイオン(二次イオン)を質量分析することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行います。

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用途／実績例	・構成元素の評価・汚染や不純物の評価・深さ方向への元素分布評価・元素の二次元分布・三次元分布評価・各種金属材料・無機材料・炭素材料・有機材料の評価

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