［AES］オージェ電子分光法 | 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［AES］オージェ電子分光法

最終更新日: 2016-09-12 09:48:32.0

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類・存在量の評価

AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。

・固体材料の表面（深さ数nm）の定性・定量が可能
・微小領域（数十nm～サブミクロン程度）の定性・定量が可能
・主成分元素の深さ方向分析・線分析・面分析の測定が可能
・SiやAl等、幾つかの元素については酸化物状態及び金属状態の評価が可能
・SEM像による着目箇所の特定が可能

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基本情報

AESは電子線照射により発生するオージェ電子をエネルギーで分光し、検出します。オージェ電子のエネルギーは元素固有なので、試料を構成する元素の同定が行えます。また、強度から組成に関する情報が得られます。

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用途／実績例	・金属多層膜の相互拡散評価・各種金属の酸化膜評価・特殊形状（球体、内壁等）の組成評価・電池材料の元素分布評価、劣化評価・デバイス上の数十nm～サブミクロン程度の異物評価・断面加工併用による層間異常部の評価・割断面の層構造、元素分布評価

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