［SAXS］X線小角散乱法

最終更新日: 2016-02-18 12:53:18.0

・ナノスケールでの周期構造・配向性を評価可能

SAXSは、X線を物質に照射して散乱したX線のうち、2θ＜10°以下の低角領域に現れるものを測定し、物質の構造を評価する分析手法です。通常、数nm～数十nm程度の大きさの構造を評価できます。

・ナノスケールでの周期構造・配向性の評価が可能
・微粒子や材料中の空孔分布を評価することが可能
・タンパク質など生体材料の評価が可能
・サンプルを加熱して評価することが可能

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基本情報

■周期構造による散乱
周期構造による散乱では、(1)のようなプロファイルが得られます。構造単位の周期性がピークとして現れます。低角領域の散乱X線を見ることで、数nm～数十nm程度の分子レベルの周期構造まで測定することができます。

■粒子内部における散乱
粒子内部における散乱では、(2)のようなプロファイルが得られます。プロファイルの傾きは粒子（空孔）の大きさを反映しており、形状は粒子の形状や粒径分布を反映します。

広角に散乱されたX線⇒Åオーダーの結晶の面間隔・歪み・配向性を評価
低角に散乱されたX線⇒ナノオーダーの分子の周期性・配向性を評価

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用途／実績例	・高分子材料の結晶性・配向性評価・液晶試料の高次構造・ミクロ相分離構造解析・ポリスチレンナノ粒子の粒径解析・高分子のドメインサイズ評価

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