［SIM］走査イオン顕微鏡法

最終更新日: 2016-02-18 13:42:34.0

高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能

・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能
・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる
・金属結晶粒観察が可能（Al, Cu等)
・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm, SEM：0.5nm）

■MST所有装置の特徴
・試料サイズ最大直径300mmφのJEIDA規格ウエハ対応が可能
・FIB（集束イオンビーム）加工との組み合わせで連続的な断面SIM像の取得が可能（Slice&View）

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

基本情報

固体試料にイオンビームを照射すると二次電子が発生します。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じます。この像を走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope： SIM）像といいます。
電子線照射によってもこのようなコントラスト像が得られますが、イオンビームの方が顕著に現れます。
金属多結晶のSIM像を観察することで結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です。

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用途／実績例	・通電経路の可視化断面観察（導電性コントラスト）・Al, Cu, Feなどの結晶粒観察（チャネリング像）・多角傾斜による結晶粒径解析

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