LEDのトータルサポートサービス製品カタログ | カタログ

関連情報

■電流パルス印加法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電圧パルス印加法（AEC）
■ESDパルス印加法（参考試験）
■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式）
■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台）
　　　　　　　　　多電源デバイスの対応が可能
＊電源過電圧法の最大電圧：150V（VCC電圧＋VTパルス電圧⇒最大150V）

ESD（CDM）試験受託サービス

■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピンまで対応します。
■プローブ移動精度：0.1mm
■印加ユニット：JEDEC（JESD22-C101F）、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
　FI-CDM：電界誘導法（JEDEC・AEC）
　D-CDM：直接チャージ法（JEITA・EIAJ・AEC）

☆車載向け電子部品規格：AEC-Q100-011の試験サービスを開始
　AEC規格のField Induced CDM（FI-CDM）試験対応が可能です。
　AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。

ESD（HBM・MM）試験受託サービス

■HBM試験（C=100pF、R=1.5kΩ）
　±5～±4500V（Step：5V）
■MM試験（C=200pF、R=0Ω）
　±5～±2000V（Step：5V）
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
　多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

信頼性保証サービスのご紹介

■高度加速寿命試験
　内寸（最大）　Φ545×L550mm
　温湿度範囲　+105～162.2℃/75～100%RH

■冷熱衝撃試験
　内寸（最大）　W970×H460×D670mm
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～200℃

■恒温恒湿試験
　内寸（最大）　W1000×H1000×D720mm
　温湿度範囲　-70℃～+150℃/20～98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
　試料カゴ（最大）　W320×H240×D320mm
　耐荷重（最大）　10kg
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～150℃

実装部品接合部の解析

■基板接合部機械研磨
　＋化学エッチング
　＋イオンミリング
　光学顕微鏡、SEMによる観察

■FIBによる断面作成
　SEMによる観察

ESD/ラッチアップ試験受託サービス

半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。

In-Situ常時測定信頼性評価試験サービス

In-Situ常時測定信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
　決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
　In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
　回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
　リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
　ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。

品質技術トータルソリューション

電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。

クロスビームFIBによる断面観察

半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。

LEDのトータルサポートサービス

■LEDの信頼性試験
　・光学特性評価　-紫外光域/可視光域対応-
　　LED製品の光学特性値は、製品の検査及び品質状態の把握に利用可能
　・電気特性評価
　　LEDの電気的な不良或いは劣化の状態を把握
　・高温動作試験・高温高湿動作試験
　　In-Situ常時測定装置の使用により、試験動作中の電圧モニターを実施可能
　・信頼性試験
　　LEDの使用環境を考慮した信頼性試験評価の実施
　・点灯試験
　　単体のLEDデバイスから1200mm蛍光灯管サイズまで試験可能
　・非破壊検査
　　X線によるLED内部構造の透過観察を実施
　・ESD試験
　　HBM(人体モデル）とMM（機械モデル）の2種類
■LEDの分析・解析
　・LED不良モードの切り分け
　　不具合部位を特定、最適な解析手法をご提案
　・順方向、逆方向バイアスに対応した発光解析
　　様々な手法にて、LEDのリーク箇所を検出
　・LED素子の裏面研磨と裏面発光解析
　　リーク箇所の断面観察より、リーク発生原因を解析
　・橙色LEDの構造解析例
　　断面SEM観察より、構造を解析

海外製部品・製品評価サービス

■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
　プル/シェア試験
・機械的強度試験
　振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT（超音波顕微鏡）観察

【資料】液晶材料とその分析技術

【その他の掲載内容】
■LCP分子構造解説（一例）
■アイテス保有のGC-MS装置
■低分子液晶
■低分子液晶構造解説（一例）
■GC-MS分析による低分子液晶（for LCD）のTICデータ、および検出物質
■液晶構造機能解説

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

静電破壊した橙色LEDの不良解析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

LEDの故障解析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

高温ラッチアップ試験

【仕様】
■温度範囲：50℃～150℃
■加熱方式：温風による加熱
　（フィクスチャボード上のソケット･デバイス等を熱風発生器で加温）
■制御方法：デバイス付近にセンサーを設置し温度調節器で制御（温度センサ：Pt100）
　事前確認としてデバイス表面温度を測定し、ヒーターの出力値を調整
■試験装置： ESD／ラッチアップテスタ M7000A-512EL
■装置仕様： VCC電源搭載数4台（VCC1：100V／0.5A、VCC2～VCC4：50V／1A）
　電源過電圧印加法のVCC電圧＋VTパルス電圧は、最大150Vまで設定可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

メルトフローレイト（MFR）測定評価サービス

【装置仕様】
■温度範囲：100-350℃（精度±0.2℃）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【資料】不具合の原因を化学の視点で解決します

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

液槽冷熱衝撃試験 LED通電

【試験例】
＜試験条件＞
■-40℃(5min)⇔+110℃(5min)
■LED4種×5個直列連続通電(定電流制御)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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目的必須	新規導入既存入れ替え試作検討情報収集
添付資料
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