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品質技術トータルソリューション

最終更新日: 2023-01-12 17:18:04.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

品質技術トータルソリューションサービス
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。

●製品ライフサイクル全般をカバーする総合的な技術サービス
　電子部品の品質向上のために必要な開発時の原材料評価、信頼性試験と不良解析、出荷後の故障解析と結果の開発・製造現場へのタイムリーなフィードバック、さらには品質問題解決のコンサルティングまで、製品ライフサイクル全体にわたりご支援します。
●信頼性試験の結果を速やかに解析、速報
　信頼性試験での不良に対し、豊富で効率的な解析メニューにより的確でタイムリーな原因特定、考察をご支援します。
●必要なサービスを必要なだけご利用ください
　決められた評価計画に基づく試験・検査実施から、問題解決のための評価・解析計画立案、結果解析、原因究明とコンサルテーションまで、必要にあわせて自由にご選択頂けます。

関連情報

ラッチアップ試験受託サービス
ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
■電流パルス印加法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電圧パルス印加法（AEC）
■ESDパルス印加法（参考試験）
■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式）
■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台）
　　　　　　　　　多電源デバイスの対応が可能
＊電源過電圧法の最大電圧：150V（VCC電圧＋VTパルス電圧⇒最大150V）
クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
微小異物分析のためのサンプリング技術
微小異物分析のためのサンプリング技術 製品画像
■さらに強化されたマイクロサンプリングツール
　新規導入されたマイクロサンプリングツールは
　顕微鏡下でマニュピレータを用い
　正確に狙った異物を捕らえます

■5umに満たない微小異物でも
　多数集めてFT-IRにて測定することが可能です
イメージング顕微FT-IRによる微小異物の分析
イメージング顕微FT-IRによる微小異物の分析 製品画像
■特徴

１．測定方法
　　イメージでデータ収集し、ピクセル単位でスペクトル表示

２．測定領域
　　透過法/反射法　175um、ATR法/35um

３．空間分解能（ピクセルサイズ）
　　透過法/反射法　5.5um、ATR法　1.1um
海外製部品・製品 評価サービス
海外製部品・製品 評価サービス 製品画像
■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
　プル/シェア試験
・機械的強度試験
　振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT（超音波顕微鏡）観察
ESD（CDM）試験受託サービス
ESD（CDM）試験受託サービス 製品画像
■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピン まで対応します。
■プローブ移動精度：0.1mm
■印加ユニット：JEDEC（JESD22-C101F）、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
　FI-CDM：電界誘導法（JEDEC・AEC）
　D-CDM：直接チャージ法（JEITA・EIAJ・AEC）

☆車載向け電子部品規格：AEC-Q100-011の試験サービスを開始
　AEC規格のField Induced CDM（FI-CDM）試験対応が可能です。
　AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。
ESD（HBM・MM）試験受託サービス
ESD（HBM・MM）試験受託サービス 製品画像
■HBM試験（C=100pF、R=1.5kΩ）
　±5～±4500V（Step：5V）
■MM試験（C=200pF、R=0Ω）
　±5～±2000V（Step：5V）
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
　多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。
信頼性保証サービスのご紹介
信頼性保証サービスのご紹介 製品画像
■高度加速寿命試験
　内寸（最大）　Φ545×L550mm
　温湿度範囲　+105～162.2℃/75～100%RH

■冷熱衝撃試験
　内寸（最大）　W970×H460×D670mm
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～200℃

■恒温恒湿試験
　内寸（最大）　W1000×H1000×D720mm
　温湿度範囲　-70℃～+150℃/20～98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
　試料カゴ（最大）　W320×H240×D320mm
　耐荷重（最大）　10kg
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～150℃
ESD/ラッチアップ試験受託サービス
ESD/ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス 製品画像
In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
　決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
　In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
　回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
　リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
　ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
品質技術トータルソリューション
品質技術トータルソリューション 製品画像
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。
LEDのトータルサポートサービス
LEDのトータルサポートサービス 製品画像
■LEDの信頼性試験
　・光学特性評価　-紫外光域/可視光域 対応-
　　LED製品の光学特性値は、製品の検査及び品質状態の把握に利用可能
　・電気特性評価
　　LEDの電気的な不良或いは劣化の状態を把握
　・高温動作試験・高温高湿動作試験
　　In-Situ常時測定装置の使用により、試験動作中の電圧モニターを実施可能
　・信頼性試験
　　LEDの使用環境を考慮した信頼性試験評価の実施
　・点灯試験
　　単体のLEDデバイスから1200mm蛍光灯管サイズまで試験可能
　・非破壊検査
　　X線によるLED内部構造の透過観察を実施
　・ESD試験
　　HBM(人体モデル）とMM（機械モデル）の2種類
■LEDの分析・解析
　・LED不良モードの切り分け
　　不具合部位を特定、最適な解析手法をご提案
　・順方向、逆方向バイアスに対応した発光解析
　　様々な手法にて、LEDのリーク箇所を検出
　・LED素子の裏面研磨と裏面発光解析
　　リーク箇所の断面観察より、リーク発生原因を解析
　・橙色LEDの構造解析例
　　断面SEM観察より、構造を解析
TOF-SIMSによる表面分析
TOF-SIMSによる表面分析 製品画像
・TOF－SIMSはパルス状の一次イオンを照射し
　励起放出されたイオンの飛行時間により質量分析を行います。
・質量の大きなイオンほど、検出器に到達する時間が長くなり
　質量の分離が出来ます。
【資料】液晶材料とその分析技術
【資料】液晶材料とその分析技術 製品画像
【その他の掲載内容】
■LCP分子構造解説（一例）
■アイテス保有のGC-MS装置
■低分子液晶
■低分子液晶構造解説（一例）
■GC-MS分析による低分子液晶（for LCD）のTICデータ、および検出物質
■液晶構造機能解説

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウィスカ評価
ウィスカ評価 製品画像
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
液晶材料分析
液晶材料分析 製品画像
【使用装置】
■FT-IR装置
■XPS（ESCA）装置
■GC-MS装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超音波顕微鏡『SAM』
超音波顕微鏡『SAM』 製品画像
【その他の仕様】
■最大測定範囲：314mm×314mm　最小ピッチ：0.5μm
■画像取得数(1スキャン)：100枚(ゲート)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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