一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

最終更新日: 2022-12-08 12:01:03.0
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

基本情報

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 太陽電池、酸化物半導体、パワーデバイスの分析です。

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

製品・サービス一覧(640件)を見る