最終更新日:
2016-02-18 11:11:12.0
基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化
二次イオン質量分析法(SIMS)では、試料表面の凹凸、イオン照射により表面側に存在する原子が奥側に押し込まれるノックオン効果やクレーター底面粗れ等の現象により、急峻な元素分布を得られない場合があります。この問題を解決するために、薄片化加工を行った基板側(裏面側)からSIMS分析を行うのがSSDP法(Back-Side SIMS法)です。この手法により、試料形状や測定条件に起因する影響を受けることなく、より正確な元素分布評価が可能になります。
基本情報
試料表面側にドーパントが高濃度に存在している試料について、試料の表面からと裏面から評価した場合を比較すると、表面からの分析では、高濃度層の影響を受け、深い方向へ広がった分布が得られます。このような場合、基板側から分析することで、より実際の分布に近いデータを得ることができます。
価格情報 | - |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ■SSDP法はこんなときにお勧めです。 バリアメタルのバリア性、Low-k膜中への金属の入り込み、凹凸のあるシリサイド直下の評価等、高精度に評価する場面で活躍しています。 |
詳細情報
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