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【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃

最終更新日2017-08-06 15:26:21.0

  • カタログ

CVD, PVD(蒸着, スパッタ, PLD, ALD等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温ウエハー加熱用ホットプレート

ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。

【ラインナップ】
◎ SH-IN(インコネルプレート):φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用
◎ SH-BN(BNプレート, Moカバー):φ1.0〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用

【特徴】
◎ 最高温度1100℃(SH-BN), 850℃(SH-IN)
◎ 短時間昇温
◎ 面内温度分布 ±2%以内
◎ 制御精度・再現性±1℃
◎ 低価格
◎ 短納期(標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く)

基板加熱ヒーター SH series 製品画像

基板加熱ヒーター SH series 製品画像

動画で製品特徴をわかりやすくご紹介

【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃ 基本情報

大学・官公庁研究機関、半導体・真空装置メーカーなどで真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用ホットプレートです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。

◆ヒーター仕様◆
◎ 使用発熱体
・NiCr(SH-IN型), W/BNコンポジット(SH-BN型)
◎ 最高使用温度
・850℃(SH-IN型), 1100℃SH-BN型
◎ 対応基板サイズ
・1〜6inch
◎ 使用雰囲気
・SH-IN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他
・SH-BN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, H2, He, CH4, C(*O2不可)
◎ 基板固定用サンプルクリップ付属
◆オプション仕様◆
◎ 真空フランジ(JIS, ICF, ISO)
◎ 基板回転, 上下昇降機構
◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini

価格 -
価格帯その他
納期 お問い合わせください
※ 仕様により納期が異なります、当社へお問い合わせ下さい。
発売日 取扱い中
型番・ブランド名 SH-IN series, SH-BN series
用途/実績例 半導体・電子部品基板基礎技術開発分野でのCVD, PVD(PLD, ALD, 蒸着, スパッタリング)などの薄膜実験、物性研究、材料分析などの研究開発用途に最適、又、生産用途装置での活用も可能です。

ラインアップ

型番 概要
SH-IN-1.0inch 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-1.6inch 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-2.2inch 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-3.1inch 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-4.1inch 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-6.1inch 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-BN-1.0inch 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-1.6inch 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-2.2inch 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-3.1inch 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-4.1inch 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-6.1inch 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He

【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃ 詳細情報

SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ

SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ

SH-IN-1.6inch custom heater

Inconel 1.6inch heater right angled
CF114 flange

SH-BN-1.6inch heater with bracket

SH-BN-1.6inch heater with bracket

SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例

SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例

SH-IN-2.2inch customer heater

CF203 flange, Heater quarter faced

SH-IN-4.1inch customer heater

SH-IN-1.6inch-600℃昇温中

SH-IN-1.6inch-600℃昇温中

SH-IN-2.2inch-R【基板回転機構】

SH-IN-2.2inch-rotation stage
CF114 base flange

【ターゲット・カルーセル】基板ヒーターオプション

【PLD (Pulsed Laser Deposition) システム用自動ターゲット回転機構】
・ターゲットサイズ:1inch or 2inch
・ターゲット数:最大3個まで
・接続フランジ:8inch (ICF203)
・自公転:ターゲット選択(公転)、ターゲット回転(自転)
・19inchラックマウント式専用コントローラー

【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃ 関連ダウンロード

アイコン カタログ一覧

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

【SHシリーズ 基板加熱ヒーター】(Inc/BNプレート Max1100℃)

トッププレートにインコネル、又はBN(Boron Nitride)セラミックプレートを採用した、熱伝導率・熱放射効率の良い、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用真空ホットプレートです。
◉ CVD, PVD(スパッタ, PLD, ALD装置等)の真空基板加熱用途
◉ 各種成膜実験、材料分析などの高温加熱に最適
◎ SH-IN(インコネルプレート):φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用
◎ SH-BN(BNプレート, Moカバー):φ1.0〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用

【セラミック・トップ・ヒーター】真空成膜用_超高温基板加熱ヒーター Max1800℃_1inch〜φ800mm

「セラミックトップヒーター」は、ヒーターエレメントにNiCr線、トッププレートにAlN窒化アルミプレートを用いた、高温・加熱効率・均熱性に優れたホットプレートです。ヒーターエレメントは、NiCr、及びグラファイト、CCCなどのカーボンヒーター、SiCヒーター、セラミックコーティングなど使用条件に応じて選択が可能です。半導体製造装置・各種真空装置内(真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD装置)に最適です。

ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ヒーター

「半導体、電子基板成膜プロセス装置での高温基板加熱機構。」
◉ 超高真空・酸素・水素雰囲気中・プロセスガス中での使用に対応
◉ 基板Zシフト昇降、基板回転機構、及びRF/DCバイアス印可が可能。
◉ 雰囲気に応じたエレメントを選択:SiC, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト/SiCコーティング, NiCrヒーター
◉ 各種真空フランジ接続:ICF, NW, VF

【MiniLab-WCF/WMF 超高温ウエハー焼成炉】Max2200℃

◆主な変更点・特徴◆
◉Max2200℃(真空中, N2, Ar)
◉試料台サイズφ1inch〜φ8inch
◉特注ウエハーホルダ(ウエハートレー)製作可能
◉SiC・GaNデバイス基礎研究、新素材・新材料開発、及びその他先端基礎技術開発部門で活用いただけます。

【MiniLab-CF/MF 小型超高温カーボン実験炉】Max2900℃

◆主な変更点・特徴◆
・簡単操作! 作業者の習熟度を問わずどなたでも扱う事ができます。:PLC自動シーケンス制御。試料設置後、ボタン操作のみで真空引き、ガス置換、ベントシーケンスを実行
・上部扉より簡単に内部試料室にアクセス可能
・加熱試料室サイズ標準φ60(オプション:φ30、φ150)
・19"ラックに全てを収納
・インターロック安全機構完備
◆基本仕様◆
・ヒーター、断熱材:グラファイト(CF)タングステン(MF)
・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 8KVA(*CF-M参考値)
・Max2900℃(CF)、2600℃(MF)
・プログラム調節計、C熱電対、2色放射温度計
◆オプション◆
・放射温度計
・記録計
・ターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ、ドライポンプ
・るつぼ(グラファイト、セラミック)
◆主な応用アプリケーション◆
・新素材開発
・燃料電池
・セラミック焼結
・その他先端材料開発に応用

【MiniLab(ミニラボ)】シリーズフレキシブル薄膜実験装置

MiniLab R&D用実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント(成膜源、ステージなど)、制御モジュールを組み込むことにより、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。
MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】
◉ 製作範囲
抵抗加熱蒸着(TE)、有機膜蒸着(LTE)、電子ビーム蒸着(EB)、RF/DCスパッタリング(SP)、T-CVD、PE-CVD、ドライエッチング、超高温カーボン炉(*MiniLab-CF/MF, WCF/WMF参照)

※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

□■□【MiniLab-026】フレキシブル薄膜実験装置□■□

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型真空薄膜実験装置です。

【MiniLab-LT026(抵抗加熱】)概要
◉ チャンバ:ガラス/SUS製
◉ 19inchシングル/ツイン式ラックに全てを収納
◉ 抵抗加熱蒸着源(最大4源)、有機蒸着源(最大2源)搭載
◉ 高精度膜厚制御:水晶振動子センサ+PIDループコントロール ±0.1Å/sec
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ
◉ グローブボックス連結仕様(オプション 要協議)
◉ 豊富なオプション:基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, シャッタ, ロードロック, オートマスクチェンジャ, etc..

【MiniLab-EB026(E-Beam式】)概要
◉ 基板サイズ 2〜4inch
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ
◉ EB電子銃:1〜10点回転ターレット式ルツボ(4〜25cc)270°ビーム偏向, XY軸スイープ
◉ EB蒸着コントローラ(ハンドヘルドターミナル付), 水晶振動子膜厚センサ

*その他ご要望は当社までお問い合わせ下さい。

【MiniLab-M307】ローコストベルジャー式真空蒸着装置

低コスト版ベルジャー式真空蒸着装置
・抵抗加熱蒸着源 x 最大4
・有機蒸着源 x 最大3
・カーボン蒸着源 x 1(オプション)
【主仕様】
・ベルジャー:ガラスもしくは SUS304 Φ304 x 350H mm
・Tallベルジャー(オプション):Φ304 x 500(H)mm
・ポンプ:ターボ分子ポンプ 250ℓ/sec, ロータリーポンプ 8㎥/hr
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4点
・有機蒸着:最大3点
・カーボン蒸着源:1点(オプション)
・プロセス制御:手動、又はPIDループ自動制御
・膜厚モニタ:Inficon社製 Q-Pod膜厚モニタ
・膜厚制御:Inficon社製 SQC310 2ch成膜コントローラ
・ユーティリティ:200V 3相 13A, 水冷3ℓ/min, N2ベントガス0.1Mkpa
・オプション:同時/連続成膜, 基板加熱, ペルチェ冷却, 基板回転, バイアス印加, 上下距離調整, ドライポンプ

◆nanoPVD-T15A◆ 卓上型高性能真空蒸着装置

タッチパネル操作簡単 PLC全自動制御
難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。
USBケーブルでWindows PCに接続し、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。
限られた開発現場・ラボスペースを最大限有効活用ができる省スペース設計・メンテナンス性にも優れた小型卓上真空蒸着装置です。
◉コンパクトサイズ:804(W) x 530(D) x 512(H)mm
◉重量:40kg〜70kg(装置構成による)
◉優れた基本性能
・到達真空度 5x10-5Pascal
・高性能ターボ分子ポンプ搭載
・Φ2inchもしくはΦ4inch基板
◉蒸着源
・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基
・有機蒸着源 LTE x 最大4基(抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで)
◉7"タッチパネル
◉連続成膜
・成膜プログラム自動制御
・30種類のレシピ登録
・高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◉豊富なオプション
・基板回転
・上下昇降 50mmストローク
・基板シャッター
・ドライポンプ(RP標準)
・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理

◇◆◇【nanoPVD-S10A】卓上型スパッタリング装置◇◆◇

研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。
高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするスモールフットプリント。高解像度7inch前面タッチパネル簡単操作。
卓上サイズにも関わらず膜質には一切妥協がないハイスペックなスパッタリング装置です。

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx3源(標準1源)
・RF電源:150W 自動/手動マッチング
・DC電源:850W
・対応基板サイズ2inch、4inch
・基板回転・上下昇降・加熱(500℃)オプション
・プロセスガス制御:MFC x 1(Ar標準、最大3系統増設:N2, O2)
・バラトロンセンサ+PIDループ制御(オプション)
・寸法:750(W) x 580(D) x 600(H)mm
・重量約70kg(真空ポンプ除く)
・電源:200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ:Φ225(内径)x 250mm
・真空系:TMP + RP(ドライスクロールポンプ オプション)
*特注仕様対応いたします。当社までご相談ください。

【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

◉ 卓上型コンパクトサイズ:405(W) x 415(D) x 280(H) 重量27kg
◉ 急速昇温:RT→1100℃/約3分間
◉ 5inchタッチパネル操作
◉ 専用ソフト付属、USB接続にてPCへCSVファイル保存
◉ PC側より作成したレシピを装置へアップロード
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール
◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機

*その他詳細仕様については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

◇◇◇【Nanofurnace】Model. BWS-NANO 卓上型熱CVD装置 ◇◇◇

【用途】
◉ グラフェン, カーボンナノチューブ
◉ ZnOナノワイヤ
◉ SiO2等の絶縁膜など
その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応
【特徴】
◉ コンパクトなシステムでハイクオリティな成膜実験が可能
◉ ホットウオール式 反応管内を均一に加熱
◉ MFC高精度流量制御:精度±1% F.S.
◉ バラトロンゲージ(オプション)による高精度APC圧力制御
◉ Lab Viewソフトウエア(オプション)によるリモート制御, パラメータ設定

【真空熱電対】

真空用熱電対基本情報
【基本仕様】
◉ JIS Kタイプ クラス2(*Rタイプも製作致します。詳細お問い合わせ下さい)
◉ シース材質 SUS316, Inconel600
◉ シース径 0.5, 1.0, 1.5
◉ フランジ ICF34, 70, NW16, 25, 40
◉ 補償導線 テフロン被覆 Y形圧着端子付き(ミニコネクタも可能)
◉ 使用可能真空度 1x10-9pa以下(ICF)、1x10-4pa以下(NW)

【特型製作可能範囲】
◉ 2対式〜4対式(*但しフランジサイズ限定されます、仕様別途協議)
◉ 電流導入端子付き(導入端子x2, 熱電対ポートx1)
◉ 異種フランジ規格変換継手付き
◉ シース部テフロンチューブ付き

その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

「研究開発用超高温実験炉シリーズ」製品ダイジェスト

◉ 材料実験・研究開発用小型超高温カーボン実験炉
◉ ご要望に応じ特注装置も承ります。当社までご用命下さい。

【PyroUSB】 (パイロUSB)高精度赤外線温度センサー

【概要】
標準付属の「Calexsoft」とUSBケーブルでWindowsPCに接続、PC上でセンサの測定パラメータ設定、測定結果の解析・CSV出力ができます。

【特徴】
◎ USBデータロギング/4-20mAアナログ出力の同時使用可能
◎ 優れた基本性能:精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答
◎ 短波長2.0〜2.4μmをカバー(PU2.2のみ):金属表面も測定可能

【その他仕様】
◉ 視野角:15:1, もしくは25:1
◉ 温度範囲:
・PU151:-40℃〜1000℃
・PU2.2-LT:45℃〜300℃
・PU2.2MT:250〜1000℃
・PU2.2HT:450〜2000℃
◉ 測定波長領域:8-14um(PU151), 2.0〜2.4μm(PU2.2)
◉ 放射率:0.95(PU151), 0.1〜1.0(PU2.2)
◉ 電源:24VDC
◉ 本体寸法:Φ25mm(径) x 106.5mm(長さ)
◉ 重量:約175g
◉ 信号ケーブル1m(標準付属、延長最長3mまで)
*USBケーブルは延長不可

【PyroCouple】 (パイロカップル)赤外線温度センサー

【概要】
英国カレックス・エレクトロニクス社製「PyroCouple(パイロ・カップル)」は、従来に無い小型軽量、低価格、高性能な赤外線温度センサーです。
「動く」「回転する」「触れる事ができない」測定対象物表面を非接触で測定し、高速・高再現性で温度制御ができます。

【特徴】
◎ アンプ・センサ一体型
◎ 4-20mA出力(標準)、0-50mV、熱電対K, J, T出力(オプション)
◎ 精度:±1% or ±1℃(いずれか大きい値)
◎ 再現性:±0.5% or ±0.5℃(いずれか大きい値)
◎ 応答速度:240msec
◎ 保護等級:IP65

【その他仕様】
◉ 視野角:2:1, もしくは15:1
◉ 温度範囲:
・LT(-20℃〜100℃)
・MT(0〜250℃)
・HT(0〜500℃)
◉ 測定波長領域:8〜14μm
◉ 放射率:0.95(固定)
◉ 電源:24VDC
◉ 本体寸法:Φ18mm(径) x 103mm(長さ)
◉ 重量:約95g
◉ ケーブル1m(標準付属):延長最長3m(オプション)

【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー

ExTempは、石油化学プラント・医薬品工場・薬品工場などの危険物取扱設備や工場で使用することができる本質安全防爆構造の放射温度センサーです。
(TIIS型式検定合格番号:第21097号)

● 危険場所Zone 0、1 及び2(特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所)で使用可
● 測定温度範囲:-20℃ ~ +1000℃
● 最大最小設定可能スパン:Max1000℃, Mini100℃(-20〜1000℃範囲で設定可能)
● 2線式、4-20mA出力
● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属
● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属:WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能
● オプション:固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル(10m, 25m)
● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用
● 保護等級IP65

【FiberMini】ファイバー式赤外線放射温度センサー

● センサ内部に電子機器や導電性部品を持たないファイバー方式の為、電磁界の影響を受けません。
● 短波長2.0〜2.6um 低放射率の金属表面温度測定などにも最適。
● 高周波やマイクロ波、強磁場、高電圧環境下で使用可能。
● 小型センシングヘッド(Φ10mm)により、狭い場所、直接覗き込めない場所などでの温度測定が可能。
● センシングヘッド部耐熱200℃ 冷却無しで200℃までの高温環境で測定可能。
● 『タッチスクリーン・設定ユニット』:明るく見やすい表示部、高性能データロガーも兼ねる簡単設定操作ユニット
● 光ファイバー長 3m(標準) 5m、10m(オプション)
● RS485デジタル通信、4〜20mAアナログ出力を標準装備
● アラームリレー x 2点付属
● microSDカード(*別売 最大32GB)でデータ保存:CSVファイル(測定結果) アラーム履歴

【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー

● スマホ・タブレットを使い設定を行う事ができます。
● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード(Android4.1〜5.1)
● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。
● 超小型センサ(Φ31mm x t29mm)狭い場所でも温度測定が可能。
● 高速応答125msec、高精度±1.5%
● 電圧出力(0-5V or 0-10V)、又はK熱電対出力

【PyroMini USB】USB接続式小型赤外線温度センサー

【概要】
標準付属の「Calexsoft」をインストール、あとはUSBケーブルでWindowsPCに接続するだけ。Plug&Play感覚で簡単にPC上でセンサの測定パラメータ設定、測定、測定結果の解析・CSV出力ができます。
USB出力 PCに接続しUSBバスパワーのみで動作。電源を必要としません。
さまざまな工業用途・研究機関実験ラボでの活用など用途が広がります。

【特徴】
◎ USBデータロギング
◎ 優れた基本性能:精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答
◎ 測定波長領域8〜14μmをカバー
◎ 小型Φ18mm x 45mm

【その他仕様】
◉ 視野角:
・PMU21:2:1
・PMU201:20:1
◉ 温度範囲:
-20℃〜1000℃
◉ 測定波長領域:8-14um
◉ 放射率:0.2〜1.0
◉ 電源:不要
◉ 本体寸法:Φ18mm(径) x 45mm(長さ)
◉ 重量:約85g
◉ USBケーブル1.5m(*延長不可)

【オプション】
◉ 固定金具(固定式、アングル式)
◉ 水冷ジャケット
◉ エアパージジャケット

【PyroMini】小型高性能赤外線温度センサー

【概要】
視認性の良い高輝度タッチパネルディスプレーで、温度レンジ・放射率・サンプリングレート等のパラメータを直感的に操作・設定。
microSDカードで長期間のデータ保存・管理が可能です。
(*オプションでディスプレー無しの変換器もあります)
φ18mm x 45mmの小型センサヘッドで、狭い場所での温度測定も可能、耐ノイズ性に優れたセンサ・ケーブルを採用しておりますので、ロボットアームなどの動く機器への組込みにも適します。
PM2.2モデルは、短波長2.2um波長を採用、高温(Max2000℃)、光沢性のある金属材料表面の測定などにも対応します。

【特徴】
◎ ワイドレンジ:-20〜1000℃(PM), 100〜2000℃(PM2.2)
◎ 優れた基本性能:精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答
◎ 測定波長領域:8〜14μm(PM), 2.0〜2.2μm(PM2.2)
◎ 小型Φ18mm x 45mm

【超高温小型実験炉 TCF-500】Max2900℃

2900℃までの高温実験が可能
用途に応じて、
◉カーボン炉(ヒーター)、
◉メタル炉(タングステンメッシュヒーター)
の二機種を用意

◆◇◆使用雰囲気◆◇◆
●カーボン炉:真空(2000℃), N2(2000℃), Ar(2900℃)
●メタル炉:真空(2000℃), H2(2300℃), Ar(2400℃)

◆◇◆特徴◆◇◆
◎小型・省スペース・省エネルギー!
◎安価・取扱いが簡単
◎エアー、冷却水配管不可の場合、熱交換器で対応可能
◎大学・企業等の研究室設備として最適

*詳細については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

★MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置★_製品案内2017

研究開発・基礎研究分野に寄与する「モジュラー式 フレキシブル薄膜実験装置」MiniLab(みにらぼ)シリーズを紹介致します。

◉ MiniLab-026/090エッチング・アニールステーション
RF/DCプラズマ表面改質・基板加熱アニールステージを搭載した26ℓ、90ℓの小型チャンバーをグローブボックス(又はラック式もあります)に収納
  
◉ MiniLab-M307ベルジャー式真空蒸着装置
ローコスト・ハイスペック コストパフォーマンスに優れた真空蒸着専用機

◉ MiniLab-GBグローブボックス式薄膜実験装置
作業ベンチ内にチャンバーを収納、ベンチ下に制御ラックフレームを設置したグローブボックス一体型の省スペース薄膜実験装置

◉ MiniLab超高温実験炉シリーズ Max2900℃
*WCCF型(Max1400℃, SIC3コーティングヒーター, アルミナ断熱材)超高温クリーンアニール炉も新たに追加しました。

BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1600℃

3種類のサイズ(Φ1, 2, 4inch)3種類のヒーター素線材質(NiCr, Kanthal, Tantalum)に限定して標準化、部品在庫を持つことにより短納期・安価な価格を実現しました。
大学実験室・研究機関に限定した数量限定の製品です。

【特徴】
● 予備ヒーター素線との交換が容易
● 取り扱いが簡単(M6スタッドボルト、支柱)

【対応基板サイズ】

◉ Φ1inch
◉ Φ2inch
◉ Φ4inch
【ヒーター素線材質】

◉ Max 1000℃:NiCr 素線(真空中, Ar, N2, He ,O2, H2)

◉ Max 1200℃:カンタル素線_(真空中, Ar, N2, He, O2, H2)

◉ Max 1600℃:タンタル素線_(真空中, Ar, He)

【標準付属品】
● 熱電対:K素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き(*C, Rの場合は別売)
● M6スタッド, もしくは取付用支柱

【オプション】
● 標準外素線も用意しております(W, Nb, Mo, Pt/Re, WRe)
● 取付ブラケット
● ホルダー設置用タップ穴加工

◆ANNEAL◆ 卓上型ウエハーアニール装置

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター:Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ)
・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

◉ 基板サイズ:Φ2〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統MFC(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◉ ターボ分子ポンプ:
◉ ロータリーポンプ:(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対付属

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