FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代ガラス基板成膜装置です。
【特徴】
・低温(150~300℃)成膜
・4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上の成膜
・シンプルメンテナンス
・低CoO(低ランニングコスト)
・高品質なSiO2膜の形成: 低ストレス、プラズマダメージレス、小パーティクル
・導入・維持コストの削減: 小フットプリント、真空・プラズマ処理不要
【用途】
・FPD向け絶縁膜(NSG)
・酸化物半導体TFT パッシベーション膜(NSG)
※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
基本情報
成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ステージの採用により、温度制御性±3%以内を実現しました。
4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、膜厚均一性10%以内を確保できます。
●装置サイズ(mm): 1300mm(W) x 7350mm(D) x 2000mm(H)
●ガス種: SiH4, O3/O2, PH3, B2H6
●成膜温度: 150~300℃
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【用途】 ・FPD向け絶縁膜(NSG) ・酸化物半導体TFT パッシベーション膜(NSG) |
お問い合わせ
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