株式会社渡辺商行

小規模生産・開発用常圧CVD(APCVD)装置 (D501)

最終更新日: 2023-11-01 10:39:39.0
試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置

D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、バッチ式(複数枚同時処理)の常圧CVD装置(APCVD装置)です。

【特徴】
 ・異形状・サイズ基板の同時処理
 ・高い成膜速度
 ・シンプルメンテナンス
 ・省フットプリント
 ・低CoO(低ランニングコスト)
【用途】
 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
 ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
 ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG)

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧下さい。

基本情報

大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。
常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。
●納入実績
 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
 ・大学/研究機関
●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
     TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
     SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350~430℃(SiH4/O3系 150~300℃)

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 Dシリーズ 「D501」
用途/実績例 【用途】
 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
 ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
 ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG)

【納入実績】
 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
 ・大学/研究機関

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