株式会社渡辺商行

高性能枚葉式常圧CVD(APCVD)装置 (A200V)

最終更新日: 2023-11-01 10:36:42.0
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)

A200Vは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・犠牲膜等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした枚葉式常圧CVD装置(APCVD装置)です。

【特徴】
 ・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に好適
 ・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜
 ・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性
 ・ウェハ反り矯正機能(特許取得済)によるSiCウェハ対応
 ・低負荷・長周期メンテナンス
 ・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応
 ・低CoO(低ランニングコスト)
【用途】
 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
 ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
 ・光導波路(NSG/BPSG)

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧下さい。

基本情報

密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。
ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性(低負荷かつ長周期)を向上させています。
コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。
●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
     TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350~450℃

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 A200V
用途/実績例 【用途】
 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
 ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
 ・光導波路(NSG/BPSG)

【納入実績】
 ・国内外半導体デバイスメーカー
 ・大学/研究機関・研究所

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