最終更新日:
2024-10-09 15:44:42.0
高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能！
『KOBUS-F.A.S.T』は、ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを
両立させたF.A.S.Tプロセスのみならず、ALD成膜も可能な高品質
薄膜成膜プロセッシングを実現するソリューションです。
下地層SiO2、バリア層TiO2、メタル層Cu・Coや透明導電体ZnOxのALD及び
良好なカバレッジを維持したF.A.S.Tハイレート成膜の用途で使用。
ALD成膜において膜質やカバレッジを維持したまま成膜速度を向上させる
手法を模索しているエンジニアの方におすすめです。
【特長】
■ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを両立させたプロセス
■ALD成膜も本装置で成膜可能
■高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の特長】
■コンフォーマルSiO2成膜技術：ブレークダウンボルテージを維持した状態で、
アスペクト比3.5：1のビアホールに約65％のコンフォーマリティを有した成膜
■コンフォーマルTiN成膜技術：電気抵抗率を維持した状態で、アスペクト比12：1の
トレンチフィーチャーに約50％のコンフォーマリティを有した成膜
■コンフォーマルCu成膜技術：電気伝導率を損なうことなく、アスペクト比10：1の
ビアホールに約95％のコンフォーマリティを有した成膜
■低電気抵抗率を有するCo薄膜の成膜
■マイクロLED等の光学デバイス応用として、良好な透過率、屈折率、電気伝導度を
兼ね備えたZnO系の透明導電膜(TCO)の成膜
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■下地層SiO2、バリア層TiO2、メタル層Cu・Coや透明導電体ZnOxのALD及び良好なカバレッジを 維持したF.A.S.Tハイレート成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。 |
お問い合わせ
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プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
