最終更新日:
2024-10-09 15:44:42.0
ウェーハステージの傾斜/回転機能により、フィーチャーセッティングが可能！
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールによる
精細な薄膜成膜アプリケーションを実現したイオンビーム成膜プロセスを
可能にするダメージフリーイオンビーム成膜ソリューションです。
独自開発のMarathon-grids技術の応用をはじめとしたメンテナンス周期の
延長は生産上重要な要素であり、現在お使いの既存のシステムに
設置することも可能。
ターゲットは設定したエネルギーのイオンビームでスパッタリングされるため
広いプロセスウィンドウを有します。
【特長】
■RFシャントによるイオンソースの短絡を防止するREDEPブレーカー
■イオンソースのアノード消失を防止する補助電極システム
■機械式シャッターが不要なバーチャルシャッターの採用による
パーティクル削減
■2つ中和器を一体化したのDual PBN(オプション)
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の特長】
■イオンビームスパッタはロングスロー方式を採用し、低圧、高指向性のスパッタプロセス
■最大8ターゲットの装着が可能
■イオンソースからのイオンビームは、集束グリッドを通過してターゲットに照射される
(2MHz ICPイオンソース、ディッシュ型3グリッドイオン光学系を使用)
■300eV〜1500eVのイオンエネルギーと最大420mAのビーム電流
■ターゲットに対して0度から90度までの傾斜角度が可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■磁性層の高精度成膜に使用(NiFe、FeCo、CoFeB、Pd、Co) ■MTJ用メタル層・誘電体層の成膜に使用(MgO、Al2O3、Ru) ■メタライゼーション層の成膜に使用(TiW、Ti、Ta、W) ■高屈折率及び低屈折率酸化物 の成膜に使用(SiO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2 ■EUVマスクブランクス超薄膜多層膜の成膜に使用(Si、Mo、Ru) ■高温ボロメトリック・サブストイキオメトリック膜の成膜に使用(Vox、TiOx) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。 |
お問い合わせ
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プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
