緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたＳｉＣ（シリコンカーバイド）膜をＰＶＤで形成。新型イオンプレーティング法で厚膜（７μｍ）形成
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。
４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。
個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。
膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置
電子銃による個体シリコンの蒸着を基本としたイオンプレーティング装置。
高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。
基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。
立体形状基板の全面成膜やマスク成膜も可能。
クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。
高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。
基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。
立体形状基板の全面成膜やマスク成膜も可能。
クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。
| 価格情報 | お問合せ下さい。 |
|---|---|
| 納期 |
お問い合わせください
※ お問合せ下さい。 |
| 用途／実績例 |
精密金型コーティング。 レンズ金型コーティング 半導体用治具コーティング 半導体製造装置部品コーティング 治工具コーティング |
関連ダウンロード
ＳｉＣコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
神港精機株式会社 東京支店
