化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのアニール装置。高温処理型で急冷機構装備。透明電極膜にも対応
Ｓｉプロセスに実績豊富なアニール装置を化合物半導体プロセス用にカスタマイズ。
ＧａＡｓ用のホットプレートタイプに比べ高温（９００～１０００℃）まで対応。
窒化膜半導体の電極の合金化に実績。
急速昇降温型の加熱炉を装備し、均一な加熱と最適な温度プロファイルで電極膜のアニールを制御。
生産量・プロセスにあわせて最適な装置構成を提案可能な実績豊富なウェハプロセス用熱処理装置。
横型石英管タイプを標準とし４００～１０００℃程度の加熱に対応しています。
４～６インチウェハの本格量産用途に対応した縦型タイプ（ウェハ自動搬送機構付）と４インチ以下のウェハに対応した横型タイプの２機種をラインナップ。
目的に合わせて開閉型の加熱炉体や急冷用空冷ファンの装備が可能で、高真空排気系・Ｏ２ガス系・ＡＰＣ機構など多くのオプション類を揃えています。
真空及び不活性雰囲気中の処理を標準としており、オプションで還元雰囲気中での処理にも対応いたします。
高真空排気後の大気圧水素雰囲気処理により電極膜のアニールだけでなく半導体膜、結晶膜の高温還元熱処理も可能です。
基板に合わせて温度の均一性と基板のハンドリングを容易にするため温度均一板や専用治具など細やかな対応を行っています。
４～６インチウェハの本格量産用途に対応した縦型タイプ（ウェハ自動搬送機構付）と４インチ以下のウェハに対応した横型タイプの２機種をラインナップ。
目的に合わせて開閉型の加熱炉体や急冷用空冷ファンの装備が可能で、高真空排気系・Ｏ２ガス系・ＡＰＣ機構など多くのオプション類を揃えています。
真空及び不活性雰囲気中の処理を標準としており、オプションで還元雰囲気中での処理にも対応いたします。
高真空排気後の大気圧水素雰囲気処理により電極膜のアニールだけでなく半導体膜、結晶膜の高温還元熱処理も可能です。
基板に合わせて温度の均一性と基板のハンドリングを容易にするため温度均一板や専用治具など細やかな対応を行っています。
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化合物半導体電極膜アニール ＬＥＤ透明電極膜アニール 酸化膜塗布材料酸化膜焼成 ポリイミドキュア・べ―ク |
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化合物半導体用電極膜アニール装置（可変雰囲気熱処理装置）
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神港精機株式会社 東京支店
