平滑なエッチング面と高い加工精度を実現！サンプルテスト対応いたします！
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。
実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。
平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。
【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°）
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 |
【用途】 ■Si深掘り ■石英の垂直加工 ■犠牲層の形成 ■酸窒化膜 ■有機膜のエッチング など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連ダウンロード
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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神港精機株式会社 東京支店
