高周波・通信デバイスに多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です
『リフトオフプロセス対応真空蒸着装置』は、
化合物半導体やSAWデバイスなど光デバイスや高周波・通信デバイスに
多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です。
蒸発源に電子銃と抵抗加熱電極を装備しており、高融電極膜や貴金属を含む
厚膜の形成が可能。
基板への蒸発粒子の入射角の垂直性に優れており、成膜時の基板の温度上昇を
防ぐ各種機構（基板水冷機構、電子銃用反射電子トラップ、輻射光防止対策）
により低温蒸着が可能です。
【特長】
■蒸着粒子の基板への入射角の垂直性（90°±3°at6インチウェハ）
■基板水冷機構による低温蒸着（70℃以下＝実績値）
■大口径排気系による高速排気とクリーンなバックグラウンドによる緻密な膜質
■豊富なオプション類による柔軟なハード＆ソフト対応（枚葉式＝CtoC化
ロードロック化 複合プロセス化＝ロードロック化＋他プロセス室接合）
■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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| 用途／実績例 |
【用途】 ■光デバイスや高周波・通信デバイスに多用されるリフトプロセスに対応した 専用蒸着 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連ダウンロード
リフトオフプロセス対応真空蒸着装置
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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神港精機株式会社 東京支店
